วงจรออสซิลเลเตอร์แบบวงแหวนที่มีอัตราสิ้นเปลืองกำลังไฟฟ้าต่ำโดยใช้มอสที่ถูกไบแอสแบบเกท-บอดี

Abstract

งานวิจัยนี้นำเสนอวงจรออสซิลเลเตอร์แบบวงแหวน ซึ่งถูกออกแบบโดยใช้มอสที่ไบแอสแบบเกท-บอดี (VTCMOS) วงจรจะมีอัตราการสิ้นเปลืองกำลังงานต่ำ  เหมาะสำหรับการออกแบบเป็นวงจรรวมความจุสูงมาก (VLSI) สมรรถนะจากการออกแบบวงจรโดยใช้เทคโนโลยีระดับ 90 นาโนเมตร ที่แรงดันไฟเลี้ยง 0.2 โวลต์ ผลที่ได้จากการจำลองการทำงานด้วยโปรแกรม PSPICE พบว่าที่ความถี่ 1.9 เมกะเฮิรตซ์ วงจรออสซิลเลเตอร์สิ้นเปลืองกำลังงานเพียง 8.26 พิโกวัตต์ และวงจรสามารถกำเนิดความถี่ได้สูงสุดที่ 104 เมกะเฮิรตซ์ และมีการสิ้นเปลืองกำลังงาน 80.3 ไมโครวัตต์

This research presents the ring oscillator circuit designed using variable threshold CMOS (VTCMOS). The circuit is low power consumption, suitable for the design of a very large scale integrated circuit (VLSI). The performance circuit is designed using a 90 nm technology at 0.2 V of supply voltage. The simulation results with PSPICE program were found that at the frequency 1.9 MHz, the circuit power consumption is only 8.6 pW and can generate frequency up to 104 MHz, with power consumption of 80.3 µW.